CCR Technology 獨家專利的 COPRA 系列的電漿源皆採無燈絲式（filamentless）低壓感應耦合 RF 射頻設計，電漿源內建可調式匹配網路，可讓電漿能源之傳輸效率達至最佳。而 COPRA 所產生的中性電漿（亦即電漿內有著接近等量的離子與電子，所形成的電荷平衡狀態）在導體或絕緣體基材上的薄膜沈積、蝕刻或表面改質等應用上，可有效減少電荷累積的狀態。COPRA 電漿技術可應用的面向極廣，例如：薄膜式太陽能的 PECVD 製程、OLED 的薄膜封裝製程等。COPRA 電漿技術具備下列特色：
- 能產生極高的電漿密度
- 對於氣體分子的游離率高達 90%，能讓您的PECVD系統提供更快速的沉積速率
- 若用於基板的電漿清潔，也有低溫的效果，避免因過熱而對基板產生不良的影響
CCR COPRA PECVD Gen4 Tool
SEM Barrier Multi-Layer Stack thickness approx. 1000 nm
- Substrate 920x730mm
- SiN (SiH4+N2)
- < +/- 9% (customer spec)
- up to 5nm/sec
- Substrat ca. 600x600mm
- SixOy (HMDSO+O2)
- < +/- 9% (customer spec)
- up to 12nm/sec
COPRA RD-01
COPRA RD-01 設備特色
本系統是針對直徑200mm基板所開發的PECVD機款，具備Load-Lock機構可與客戶的進樣系統連接，此外RF功率較大亦可支援較為廣泛的應用。系統基本規格如下：
- Load-Lock: Yes, Optional
- Substrate Size: 200mm Dia.
- RF Power Rating: 5kW
- Energy Variation: Not Available
- Working Pressure: 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar
COPRA RD-02
COPRA RD-02 設備特色
本系統是針對直徑100mm基板所開發的PECVD機款，屬於小型研發機種，雖然RF功率較小，但可變換能量範圍來找到最佳製程參數。系統基本規格如下：
- Load-Lock: Not Available
- Substrate Size: 100mm Dia.
- RF Power Rating: 1.6kW
- Energy Variation: Yes
- Working Pressure: 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar
COPRA Production-01
COPRA Production-01 特色
此處列舉的 CCR 的產型皆為客製化設備，若您有打造完整產線或工作站的需求，還請與我們聯繫。系統基本規格如下：
- Load-Lock: Yes
- Substrate Size: 330mm x 330mm
- RF Power Rating: 5kW
- Matching: Remote Matching (Motor DRive)
- Working Pressure: 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar
COPRA Production-02
COPRA Production-02 特色
此處列舉的 CCR 的產型皆為客製化設備，若您有打造完整產線或工作站的需求，還請與我們聯繫。系統基本規格如下：
- Load-Lock: Yes
- Substrate Size: 730mm x 920mm
- RF Power Rating: 10kW
- Matching: Remote Matching (Motor DRive)
- Working Pressure: 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar