III-V / II-VI MBE系統
本系統專用於成長高質量的化合物半導體材料，可製備具有高載流子遷移率和低缺陷的化合物半導體材料。III-V和II-VI MBE系統可使用SVTA的閥門蒸發源（valved sources）和裂解器蒸發源（cracking sources），針對固體和氣體材料進行磊晶作業。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module，每個模組都有獨立的超高真空抽氣幫浦設備，並通過閘閥相互隔離。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster），客戶亦可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。
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Maximum Sample Size |
4" (101 mm) Diameter ，如需更大樣品尺寸，可以客製 |
| Maximum Sample Temperature |
1,000 °C |
| Source Ports |
4.5" (DN63) CF Ports x 10 |
| Growth Chamber Pumping |
Cryo Pump、Ion Pump |
| Deposition Sources |
K-Cell、valve cracker、Gas injector |
| Additional Features |
RoboMBE Process Control Software |
氮化物（Nitride）MBE系統
本系統是專門用於生長高質量的氮化鎵、氮化鋁及氮化物材料，長晶腔體透過配置RF電漿源或氨氣（Ammonia）注入器來處理活性氮含量問題，此外配備高溫襯底加熱器可以使薄膜成長更為均勻。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。各款 SVTA 氮化物 MBE 系統的規格如下：
| Spec | 35-N-C | 35-N-V | 35-N-6 |
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| Appearance |
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| Maximum Sample Size |
3" (76 mm) Diameter |
4" (101 mm) Diameter |
8" (203 mm) Diameter |
| Maximum Sample Temperature |
1,000 °C |
1,000 °C (1,200 °C optional) |
1,000 °C (1,200 °C optional) |
| Source Ports |
4.5" (DN63) CF Ports x 8 |
4.5" (DN63) CF Ports x 10
2.75" (DN40) CF Ports x 2 |
6.0" (DN100) CF Ports x 10
2.75" (DN40) CF Ports x 2 |
| Growth Chamber Pumping |
1,500 l/sec Cryo Pump |
1,500 l/sec Cryo Pump
400 I/sec Ion Pump |
3,000 l/sec Cryo Pump
400 I/sec Ion Pump |
| Deposition Sources |
40 cc Capacity Cells x 4 |
40 cc Capacity Cells x 5 |
40 cc Capacity Cells x 5 |
| Additional Features |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Integrated Thermal Bake |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Sample Preparation Station
Integrated Thermal Bake |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Sample Preparation Station
Integrated Thermal Bake |
氧化物（Oxide）MBE系統
本系統專門用於成長高質量的超導膜和金屬氧化物半導體材料。長晶模組經特殊設計可在高活性氧的環境中運作，另外模組內配置具備抗氧設計的基板加熱器，製程所需的氧氣由RF電漿源或臭氧（Ozoe，O3）輸送源產生。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。各款 SVTA 氧化物 MBE 系統的規格如下：
| Spec | 26-O-6 | 26-O-V | 26-O-C |
|---|
| Appearance |
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| Maximum Sample Size |
8" (203 mm) Diameter |
4" (101 mm) Diameter |
3" (76 mm) Diameter |
| Maximum Sample Temperature |
1,000 °C (1,200 °C optional) |
1,000 °C |
1,000 °C |
| Source Ports |
4.5" (DN63) CF Ports x 7
10" (DN200) CF Ports (e-Beam) x 2 |
4.5" (DN63) CF Ports x 7
8" (DN150) CF Port (e-Beam) x 1
10" (DN200) CF Port (e-Beam) x 1 |
4.5" (DN63) CF Ports x 8 |
| Growth Chamber Pumping |
3,000 l/sec Turbo Pump
400 I/sec Ion Pump |
1,500 l/sec Turbo Pump
400 I/sec Ion Pump |
1,500 l/sec Turbo Pump |
| Deposition Sources |
60 cc Capacity Cells x 5 |
Multi-Pocket e-Beam (4 x 5 cc) with 40 cc Capacity Cells x 3 |
40 cc Capacity Cells x 4 |
| Additional Features |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Sample Preparation Station
Integrated Thermal Bake |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Sample Preparation Station
Integrated Thermal Bake |
RoboMBE Process Control Software
Sample Loadlock
Integrated Thermal Bake |
矽（Silicon）MBE系統
本系統專為滿足成長 IV-IV 材料和相關矽半導體化合物而設計，配備有電子束蒸發源及電子感應器反饋機制，可以確保高品質的矽磊晶具備再現性。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。本系統的規格如下。
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Maximum Sample Size |
4" (101 mm) Diameter ，如需更大樣品尺寸，可以客製 |
| Maximum Sample Temperature |
1,000 °C |
| Source Ports |
4.5" (DN63) CF Ports x 10 |
| Growth Chamber Pumping |
Cryo Pump、Ion Pump |
| Deposition Sources |
K-cell、E-beam |
| Additonal Features |
RoboMBE Process Control Software |
裂片（Cleaving）系統
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本系統設計可整合在 SVT Associate 的 MBE 系統上，其目的是在超高真空腔體中，將晶圓切割成細條 / 片，晶圓的切割尺寸可依據客戶需求進行客製化調整，標準為15mm長、寬1mm的細條。細條被切割後，隨後可轉移到長晶腔體中進行細條斷切面的鍍膜處理，或將細條用於其他鍍膜製程。本系統的細部規格請與我們聯繫！
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