分子束磊晶系統 Molecular Beam Epitaxy (MBE)

俊尚科技代理美國 SVT Associate 全系列分子束磊晶系統並提供完整的周邊配件，此外 SVT Associate 擁有專屬實驗室，可以提供客戶半導體、光電材料製程、氮製程或氧製程的專業諮詢。

我們所提供的分子束磊晶系統均採模組化設計，可因應客戶需求靈活配置。一般來說MBE系統至少配置兩個獨立的模組，一個用於長晶腔體，另一個則用於樣品取放或準備腔體，同時也可根據客戶需求增加 REED 之類的材料分析設備模組。以下是我們提供的各款分子束磊晶系統。

III-V / II-VI MBE系統

本系統專用於成長高質量的化合物半導體材料，可製備具有高載流子遷移率和低缺陷的化合物半導體材料。III-V和II-VI MBE系統可使用SVTA的閥門蒸發源（valved sources）和裂解器蒸發源（cracking sources），針對固體和氣體材料進行磊晶作業。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module，每個模組都有獨立的超高真空抽氣幫浦設備，並通過閘閥相互隔離。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster），客戶亦可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。

	Maximum Sample Size	4" (101 mm) Diameter ，如需更大樣品尺寸，可以客製
	Maximum Sample Temperature	1,000 °C
	Source Ports	4.5" (DN63) CF Ports x 10
	Growth Chamber Pumping	Cryo Pump、Ion Pump
	Deposition Sources	K-Cell、valve cracker、Gas injector
	Additional Features	RoboMBE Process Control Software

氮化物（Nitride）MBE系統

本系統是專門用於生長高質量的氮化鎵、氮化鋁及氮化物材料，長晶腔體透過配置RF電漿源或氨氣（Ammonia）注入器來處理活性氮含量問題，此外配備高溫襯底加熱器可以使薄膜成長更為均勻。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。各款 SVTA 氮化物 MBE 系統的規格如下：

Spec	35-N-C	35-N-V	35-N-6
Appearance
Maximum Sample Size	3" (76 mm) Diameter	4" (101 mm) Diameter	8" (203 mm) Diameter
Maximum Sample Temperature	1,000 °C	1,000 °C (1,200 °C optional)	1,000 °C (1,200 °C optional)
Source Ports	4.5" (DN63) CF Ports x 8	4.5" (DN63) CF Ports x 10 2.75" (DN40) CF Ports x 2	6.0" (DN100) CF Ports x 10 2.75" (DN40) CF Ports x 2
Growth Chamber Pumping	1,500 l/sec Cryo Pump	1,500 l/sec Cryo Pump 400 I/sec Ion Pump	3,000 l/sec Cryo Pump 400 I/sec Ion Pump
Deposition Sources	40 cc Capacity Cells x 4	40 cc Capacity Cells x 5	40 cc Capacity Cells x 5
Additional Features	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Integrated Thermal Bake	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Sample Preparation Station Integrated Thermal Bake	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Sample Preparation Station Integrated Thermal Bake

氧化物（Oxide）MBE系統

本系統專門用於成長高質量的超導膜和金屬氧化物半導體材料。長晶模組經特殊設計可在高活性氧的環境中運作，另外模組內配置具備抗氧設計的基板加熱器，製程所需的氧氣由RF電漿源或臭氧（Ozoe，O₃）輸送源產生。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。各款 SVTA 氧化物 MBE 系統的規格如下：

Spec	26-O-6	26-O-V	26-O-C
Appearance
Maximum Sample Size	8" (203 mm) Diameter	4" (101 mm) Diameter	3" (76 mm) Diameter
Maximum Sample Temperature	1,000 °C (1,200 °C optional)	1,000 °C	1,000 °C
Source Ports	4.5" (DN63) CF Ports x 7 10" (DN200) CF Ports (e-Beam) x 2	4.5" (DN63) CF Ports x 7 8" (DN150) CF Port (e-Beam) x 1 10" (DN200) CF Port (e-Beam) x 1	4.5" (DN63) CF Ports x 8
Growth Chamber Pumping	3,000 l/sec Turbo Pump 400 I/sec Ion Pump	1,500 l/sec Turbo Pump 400 I/sec Ion Pump	1,500 l/sec Turbo Pump
Deposition Sources	60 cc Capacity Cells x 5	Multi-Pocket e-Beam (4 x 5 cc) with 40 cc Capacity Cells x 3	40 cc Capacity Cells x 4
Additional Features	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Sample Preparation Station Integrated Thermal Bake	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Sample Preparation Station Integrated Thermal Bake	RoboMBE Process Control Software Sample Loadlock Integrated Thermal Bake

矽（Silicon）MBE系統

本系統專為滿足成長 IV-IV 材料和相關矽半導體化合物而設計，配備有電子束蒸發源及電子感應器反饋機制，可以確保高品質的矽磊晶具備再現性。系統由兩個基本模組構成：Epitaxy Growth Module 和 Load Lock / Buffer / Preparation Module。就系統佈局來看，我們可提供直型（linear）、直角型（right angle）配置，也可以將系統組配置為枚葉型（cluster）；系統採模組化設計，客戶可另外選購表面分析或其他分析製程的模組。本系統的規格如下。

	Maximum Sample Size	4" (101 mm) Diameter ，如需更大樣品尺寸，可以客製
	Maximum Sample Temperature	1,000 °C
	Source Ports	4.5" (DN63) CF Ports x 10
	Growth Chamber Pumping	Cryo Pump、Ion Pump
	Deposition Sources	K-cell、E-beam
	Additonal Features	RoboMBE Process Control Software

裂片（Cleaving）系統

本系統設計可整合在 SVT Associate 的 MBE 系統上，其目的是在超高真空腔體中，將晶圓切割成細條 / 片，晶圓的切割尺寸可依據客戶需求進行客製化調整，標準為15mm長、寬1mm的細條。細條被切割後，隨後可轉移到長晶腔體中進行細條斷切面的鍍膜處理，或將細條用於其他鍍膜製程。本系統的細部規格請與我們聯繫！

標籤: Molecular Beam Epitaxy, SVT Associates