射頻電漿輔助化學沈積系統 RF Plasma-assisted CVD
CCR Technology 獨家專利的 COPRA 系列的電漿源皆採無燈絲式（filamentless）低壓感應耦合 RF 射頻設計，電漿源內建可調式匹配網路，可讓電漿能源之傳輸效率達至最佳。而 COPRA 所產生的中性電漿（亦即電漿內有著接近等量的離子與電子，所形成的電荷平衡狀態）在導體或絕緣體基材上的薄膜沈積、蝕刻或表面改質等應用上，可有效減少電荷累積的狀態。COPRA 電漿技術具備下列特色：
- 能產生極高的電漿密度
- 對於氣體分子的游離率高達 90%，能讓您的PECVD系統提供更快速的沉積速率
- 若用於基板的電漿清潔，也有低溫的效果，避免因過熱而對基板產生不良的影響
因此 COPRA 電漿技術可應用的面向極廣，例如：薄膜式太陽能的 PECVD 製程、OLED 的薄膜封裝製程等。各款 COPRA PECVD 系統的說明如下：
研發型機種
| Spec | COPRA RD-01 | COPRA RD-02 |
|---|---|---|
| Appearance |  |
 |
| Load-Lock | Yes (Option) | Not Available |
| COPRA Source | CCR Plasma Source | CCR Plasma Source |
| Substrate Size | Dia. 200mm | Dia. 100mm |
| RF Power | 5KW | 1.6KW |
| Matching | Remote Matching (Motor Drive) | Manual Matching |
| Energy Variation | Not Available | Yes |
| Working Pressure | 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar | 5 x 10-4 ~ 1 x 10-1 mbar |
