化合物半導體
微米曝光成像技術是半導體製作的關鍵技術，其運作原理與軟片沖印的方式相當類似，對於特定種類的金屬要使用蝕刻方式完成電路圖案會相當困難，像是III-V與II-VI族化合物半導體或是MEMS微機電的製備，其使用的金屬為鉻（Chromium）不像鋁一般容易蝕刻，因此需要採掀離（Lift-Off）製程。
半導體中 Lift-off 製程的重要性
Lift-Off製成良率的關鍵，取決於上圖 Step 4 中金屬薄膜是否可以"垂直"且"均勻地"（perpendicularly ＆uniformly）蒸鍍於有覆蓋光阻及沒有蓋光阻的表面：
- 從鍍膜垂直的要求來看，若金屬薄膜不慎蒸鍍在光阻的側立面（side wall），則無法在後續步驟使用丙酮或有機溶劑移除光阻，從而形成元件製作上的缺陷。
- 從鍍膜均勻的要求來看，若鍍於晶圓表面的金屬膜薄厚度不均，同樣構成元件製作上的缺陷。而工業界量產導向要求採用更大晶圓尺寸的趨勢下，要同時滿足這兩個要求的難度亦隨之增高。
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