電漿處理

微波電漿可得到高電漿密度(以2.54 GHz微波為例,電漿密度可達1011 cm-3),其化學反應活性強、製程再現性良好,因此微波電漿可應用於蝕刻(etching)、電漿輔助化學氣相薄膜沈積(PECVD)、大面積表面處理(large scale surface treatment)、消毒滅菌(sterilization)等應用。相較於常見之射頻電漿,微波電漿具備下列優點: 

  • 處理後溫度較低,可適用於高分子聚合物的表面處理
  • 無射頻電漿離子電荷累積造成基材金屬層上的晶片損傷問題

 

俊尚科技提供客戶下列兩款ECR型微波電漿源。欲知更多產品相關訊息,歡迎與我們聯絡!

ECR型微波電漿源產品特色
aura wave source
  • 工作壓力: 10-4 mbar ~ 10-2 mbar
  • 電漿密度: 1011 cm-3 at 10 cm from source plane in multisource configuration
  • 陣列應用:可以多顆Aura-Wave電漿源組成陣列,增加電漿處理面積
  • 微波電源:搭配固態(solid-state)微波電源,頻率控制更精準
hi wave source
  • 工作壓力: 10-2 ~ 10-1 mbar
  • 電漿密度: 1012 cm-3 at 10 cm from source plane in multisource configuration
  • 陣列應用:可以多顆Hi-Wave電漿源組成陣列,增加電漿處理面積
  • 微波電源:搭配固態(solid-state)微波電源,頻率控制更精準
  • 特殊應用:鑽石薄膜沈積