射頻電漿輔助化學沈積系統 RF Plasma-assisted CVD

ccr

CCR Technology 獨家專利的 COPRA 系列的電漿源皆採無燈絲式(filamentless)低壓感應耦合 RF 射頻設計,電漿源內建可調式匹配網路,可讓電漿能源之傳輸效率達至最佳。而 COPRA 所產生的中性電漿(亦即電漿內有著接近等量的離子與電子,所形成的電荷平衡狀態)在導體或絕緣體基材上的薄膜沈積、蝕刻或表面改質等應用上,可有效減少電荷累積的狀態。COPRA 電漿技術具備下列特色:

 

  • 能產生極高的電漿密度
  • 對於氣體分子的游離率高達 90%,能讓您的PECVD系統提供更快速的沉積速率
  • 若用於基板的電漿清潔,也有低溫的效果,避免因過熱而對基板產生不良的影響

 

因此 COPRA 電漿技術可應用的面向極廣,例如:薄膜式太陽能的 PECVD 製程、OLED 的薄膜封裝製程等。各款 COPRA PECVD 系統的說明如下: