化合物半導體


微米曝光成像技術是半導體製作的關鍵技術,但對於特定種類的金屬要使用蝕刻方式完成電路圖案會相當困難,像是III-V與II-VI族化合物半導體或是 MEMS 微機電的製備,其使用的金屬為鉻(Chromium)不像鋁(Aluminum)一般容易蝕刻,因此需要下圖所示的採掀離(Lift-Off)製程


Lift-off 製程良率的關鍵,取決於上圖 step 4 中金屬薄膜是否可以 垂直 且 均勻地(perpendicularly &uniformly)蒸鍍於有覆蓋光阻及沒有蓋光阻的表面:

  • 從垂直的面鍍膜要求來看:若金屬膜鍍在光阻的側立面(side wall),則無法在後續步驟(step 5)使用丙酮或有機溶劑移除光阻,將形成元件製作上的缺陷。
  • 從面鍍膜的均勻性要求來看:若鍍於晶圓表面的金屬膜薄厚度不均,同樣構成元件製作上的缺陷。


工業界量產導向要求採用更大晶圓尺寸的趨勢下,要同時滿足上開兩個要求的難度亦隨之增高。
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