俊尚科技股份有限公司

電漿源


COPRA 電漿源結構示意圖在真空鍍膜的領域中,適當運用高密度電漿除了能獲得緻密的鍍膜品質外,也能在低溫狀態下完成鍍膜,避免高溫對於鍍膜品質產生不之良影響,因此如何獲致高密度之電漿是各家設備商極力開發之關鍵製程技術。俊尚科技提供您專業的感應偶合電漿技術,能產生極大之離子電流密度,並可廣泛應用於各種電漿製程(例如:離子輔助蒸鍍、離子轟擊濺鍍、 離子輔助與反應性濺鍍、電漿輔助化學氣相沉積、電漿表面改質與清潔、電漿蝕刻應用),另一項特色在於 Ion Energy 之調整採獨立控制(不需透過改變系統壓力或RF能量來調整)並經常將其維持於15eV,減少過高的離子能量對於鍍膜可能產生的回濺鍍現象或造成鍍膜產生缺陷的可能。

 


俊尚科技提供的 COPRA 電漿源基本規格如下:

 

  • 適用真空度範圍:1 mbar ~ 5 x 10E-5 mbar。

腔體內電漿工作實景

  • Ion Energy:

10 to 300 eV, dE = ± 5%

  • Ion Current Density:

0.05 to 5mA/cm2

  • Plasma Density:

Up to 1012~13 cm-3

  • Ionization Degree:

Up to 50%

  • Dissociation Degree:

Up to 90%

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