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III-V II-VI族材料研發分子束磊晶系統

分子束磊晶技術是利用在超高真空的環境中,透過精確控溫來加熱蒸鍍源(Effusion Cell)內之材料並氣化其分子,由於氣體分子超高真空系統中的平均自由路徑遠大於蒸鍍源至基板之間的距離,因此蒸鍍物質之分子束將依直線行走直接抵達基板進行磊晶(epitaxy,是指在一定單晶體的基板上,沿著基板的某晶面向外延伸一層單晶薄膜)之成長。點此知原理!

 

由於MBE可在原子尺度上精確控制磊晶厚度,因此常用來生長異質接面(heterojunction)化合物半導體薄膜,例如:在GaAs上長AlGaAs、InGaAs、aAsP、aSbAs等,也可應用於製備半導體超晶格、量子井等結構,而MBE也有助於表面科學對於薄膜成長的相關研究。

 

俊尚科技提供您專業的MBE設備,按照不同之應用需求,MBE系統可分為:

 

應用領域 機型 系統外觀
Nitride MBE Systems

35-N-V

35-N-6

35-N-C

     SVTA 200 mm Cluster SystemSVTA 35-N System


Nitride MBE SystemOxide MBE System with Load Locked Effusion Cell


MBE System with STM ModuleCL Emission from CdxZn1-xO with Increasing Cd

SVTA Linear MBE ConfigurationSVTA Right Angle MBE Configuration

Si MBE systemMetal Organic Chemical Vapor Deposition Systems

 

Oxide MBE Systems

26-O-6

26-O-V

26-O-C

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Silicon MBE Systems 請來電詢問
Metal Organic Systems 請來電詢問
Laser MBE Systems 請來電詢問